반응형 낸드플래시4 반도체공정실습 후기와 신청 꿀팁 안녕하세요. 늦었지만 작년 2019년에 참여했던 반도체공정실습의 후기를 남기려고 합니다. 아마 대부분의 공대생 분들이라면 한 번쯤 생각해 보셨을 것으로 생각하는데요. 그럼 거두절미하고 제가 어떻게 공정실습을 하게 되었는지, 공정실습 내용, 느낀점, 그리고 신청 팁까지 말씀드리겠습니다. 저는 SEMI라는 '국제반도체장비재료협회'를 통해서 신청을 했습니다. 다른 서울대, 렛유인, 엔지닉, 등 다양한 곳에서도 반도체공정실습 프로그램을 진행하지만, SEMI를 선택한 이유가 있습니다. *SEMI를 선택한 이유 1. '가격'입니다. 아시는 분들은 아시겠지만, 대부분의 공정실습 비용은 50만원 정도의 비용이 듭니다. 비싼 곳은 70만원까지도 봤었네요. 하지만 SEMI에서는 '15만원'에 공정실습을 할 수 있습니다. .. 2020. 2. 14. Gate Coupling Ratio 게이트 커플링 커패시턴스 Gate coupling ratio Gate coupling ratio는 간단하게 말해 Control Gate의 전압이 Floating Gate에 얼마나 잘 전달 되는지, 그 비율을 나타내는 값입니다. 이 말이 무엇을 의미할까요? NAND Flash 낸드플래시의 구조를 살펴보시면 CG(control gate)와 FG(Floating gate)사이에는 절연물질이 있습니다. 여기서 CG는 도체, FG도 도체입니다. 그리고 그 사이에는 절연체가 있고요. 뭔가 떠오르지 않으신가요? 맞습니다. 도체와 도체 사이에 유전물질… 이것은 커패시터(Capacitor)와 같습니다. 또한, CG와 FG 뿐만 아니라 Source와 FG, 기판(Substrate)과 FG, Drain과 FG에서도 커패시턴스가 존재합니다. 이러한 .. 2020. 1. 30. NAND Flash 낸드 플래시란? 엄청 쉽게 설명 ! (2) 지난 포스팅에서 NAND Flash 낸드플래시의 구조와 원리에 대해 알아보았습니다. 이번 포스팅에서는 NAND Flash 낸드플래시의 발전에 대해서 이야기해 보려 합니다. 지난 포스팅의 내용을 다시 상기시켜 보면, CG(Control Gate)에 전압을 가해주어 기판의 전자가 Oxide 층을 Tunneling 하여 FG(Floating Gate)에 속박되면 0, 그렇지 않으면 1이라고 말씀드렸었습니다. 하지만 반도체의 집적화가 계속 진행되면서 이러한 NAND에 문제가 발생하게 됩니다. *무슨 문제? Cross Talk라고 혹시 들어보셨나요? Cross talk는 ‘누화’라고도 불립니다. 이 Cross talk란 하나의 회로가 주변에 있는 다른 회로에 영향을 주는 것을 말하는데요. 반도체 하나의 크기(NA.. 2020. 1. 22. NAND Flash 낸드 플래시란? 엄청 쉽게 설명! 지난 포스팅이었던 DRAM에 이어 오늘은 NAND Flash 낸드 플래시에 대해 알아보겠습니다. NAND Flash 낸드 플래시는 DRAM과 마찬가지로 우리나라의 삼성과 SK하이닉스가 세계시장에서 큰 점유율을 차지하고 있습니다. *NAND Flash 낸드 플래시란? 오늘날 우리가 스마트폰, PC, 노트북 등에 문서, 사진, 동영상 등을 저장하고 읽을 수 있는 이유는 이 '메모리 반도체' 덕분인데요. 메모리 반도체는 크게 두 가지로 구분됩니다. 바로 RAM과 ROM인데요. RAM은 저번 포스팅에서도 다루었듯이, Random Access memory의 약자이며 전원이 꺼지면 저장된 데이터도 지워지는 '휘발성 메모리'입니다. 반면, ROM은 Read Only Memory의 약자이며, 읽는 것만 가능한 메모리입.. 2020. 1. 4. 이전 1 다음 반응형
